Integra Technologies, Inc. jest producentem najnowocześniejszych tranzystorów mocy na częstotliwości radiowe, modułów wzmacniających i gotowych wzmacniaczy. Firma jest zarządzana zgodnie z normą jakości ISO 9001:2000 i dysponuje własną fabryką płytek krzemowych o średnicy 150mm (6”) oraz w pełni zautomatyzowaną linią do montażu i testowania wszystkich funkcji wyrobów.

Opatentowane przez Integrę technologie obejmują tranzystory bipolarne i MOSFET, tranzystory mocy na częstotliwości radiowe, w tym także: bipolarne, FET, LDMOS, VDMOS i GaN, wzmacniacze dużej mocy na częstotliwości radiowe oraz układy hybrydowe do zastosowań w transmisji sygnałów radiowych, m.in. w lotnictwie, radarach i innych urządzeniach militarnych oraz cywilnych urządzeniach nadawczo-odbiorczych i medycznych.

Integra jest całkowicie zorientowana na dostarczenie rozwiązań satysfakcjonujących klientów poprzez realizację specyficznych modyfikacji swoich wyrobów, elastyczne dostawy i stały rozwój systemów jakości.

Integra przoduje na rynku zapewniając wyroby o najwyższej mocy, wzmocnieniu i sprawności.

Obszerne wsparcie techniczne i specyficzne modyfikacje aplikacyjne dedykują firmę Integra jako preferowanego dostawcy rozwiązań do Waszych systemów.

Broszura produktów krzemowych    Broszura produktów opartych na azotku galu GaN



Awionika

Szereg tranzystorów mocy krzemowych bipolarnych, MOSFET, LDMOS FET i GaN oferowanych przez Integrę do zastosowań w lotnictwie oferuje wydajności niespotykane u żadnego innego dostawcy.

Produkty te zostały specjalnie zaprojektowane, aby realizować surowe wymagania systemów: TCAS, MODE-S, MODE S-ELM, IFF, ADS-B, UAT, JTIDS/MIDS, DME oraz TACAN.

W układach o wspólnym źródle lub wspólnej bazie elementy te zapewniają najwyższą moc impulsu, największe wzmocnienie i najmniejsze wymiary spośród wszystkich tranzystorów mocy krzemowych bipolarnych i MOSFET przeznaczonych do zastosowań lotniczych.

Tranzystory IMOS firmy Integra to pierwsze na rynku wyroby o zwiększonej odporności i gęstości mocy, stanowiące alternatywę dla produktów LDMOS. W ofercie Integry znajdują się także miniaturowe moduły wzmacniające, dostrojone na 50 Ohm, co znacząco ułatwia integrację systemów.

Wszystkie produkty firmy Integra z serii tranzystorów wysokiej mocy krzemowych bipolarnych i MOSFET'ów dla zastosowań lotniczych posiadają złotą metalizację, co zapewnia najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.

 Awionika - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
JTIDS/MWS, 960-1215 MHz
5.8 ms pulse burst, 22.7%
32 2.7 10.74 10.45 36 60.5  IB0912L30
73 5 11.60 11.46 44 58.2  IB0912L70
235 22 10.29 9.6 44 55.5  IB0912L200
Transponder/Interrogator, 1030/1090 MHz
10us, 1% LTDC
87 8 10.4 10 50 70  IB1011S70
200 12 12.2 10 60 70  IB1011S190
285 32 9.5 10 50 61  IB1011S250
350 25 11.5 10 50 59  IB1011S350
1070 112 9.8 10 50 57  IB1011S1000
1570 168 9.7 10 60 51  IB1011S1500
DME, 1025-1150 MHz, 10us, 1% LTDC 12 0.9 11.3 9.0 50 43  IB1012S10
22 2 10.4 10.0 50 51  IB1012S20
57 5 10.5 11.5 50 47  IB1012S50
158 15 10.2 10 50 53  IB1012S150
450 50 9.2 18 50 45  IB1012S420A
530 50 10.3 10.0 50 54  IB1012S500
858 85 10.0 9 50 50  IB1012S800
1160 120 9.8 9 60 50  IB1012S1100
1100 120 9.6 9 60 45  IB1012SC1100
TACAN, 960-1215 MHz, 10us, 10% LTDC 94.7 6 12 9.0 50 64  IB0912L70
242 14 12.4 10.0 50 53  IB0912M210
377 33 10.6 8.0 50 57  IB0912M350
555 90 7.8 8.0 50 56  IB0912M500
637 90 8.5 9.0 50 53  IB0912M600
TCAS, 1030/1090 MHz, 32us, 2% LTDC 1145 145 9.0 10 60 44  IB1011M1100
Mode S Interrogator, 1030 MHz
0.5us on / 0.5us off
x128, 1% LTDC
11 1.0 10.4 10 50 52  IB1011M10
25.1 0.9 13.8 10 50 61.4  IB1011M20
75 8.8 9.2 10 50 65  IB1011M70
151 9 12.2 10 50 56  IB1011M140
205 12 12.3 10 50 75  IB1011M190
260 39.6 8.4 10 50 61  IB1011M250
375 31.2 11.1 10 50 72  IB1011M350
705 55 11.1 17 50 57  IB1011M650
825 110 8.75 10 50 52  IB1011M800
1040 126 9.2 10 50 58  IB1011M1000
Mode S-ELM Interrogator, 1030 MHz
32us on / 18us off
x48, 6.4% LTDC
17 0.6 14.52 10 48 66.7  IB1011L15
45 4.8 9.7 10 48 57  IB1011L40
120 9.5 11.0 10 48 65  IB1011L110
235 27 9.3 10 48 56  IB1011L220
520 50 10.2 10 48 57  IB1011L470
 Awionika - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
DME, 1025-1150 MHz, 10us, 1% LTDC 646 13 16.85 9 50 45  ILD1012S500HV
TACAN, 960-1215 MHz, 10us, 10% LTDC 60 1.28 16.8 10.0 30 48  ILD0912M60
TACAN, 960-1215 MHz, 10us, 10%, 50V 21 0.8 14.2 5.0 50 42  ILD0912M15HV
158 21 8.8 10.0 50 47  ILD0912M150HV
410 50 9.1 9.0 50 46  ILD0912M400HV
550 22 14 9.0 50 45  ILD0912M550HV
LDMOS, 1030-1090 MHz, 50us pulse, 2% LTDC 20.5 0.75 14.4 10.0 28 47  ILD1011M15
45.5 1.0 16.6 10.0 28 63  ILD1011M30
164 7.0 14.0 10.0 32 54  ILD1011M150
267 10.0 14.3 10.0 32 47  ILD1011M250
320 10.0 15.0 10.0 32 48  ILD1011M300
400 11.0 15.6 10.0 32 56  ILD1011M400
LDMOS, 1030-1090 MHz, 50us, 2% LTDC, 50V 25 0.5 17.0 10.0 50 46  ILD1011M15HV
179 4.0 16.5 10.0 50 53  ILD1011M160HV
275 10 14.4 18.0 50 40  ILD1011M275HV
325 9.0 15.6 10.0 50 48  ILD1011M280HV
506 10 17.0 9.0 50 47  ILD1011M450HV
590 13 16.6 9.0 50 47  ILD1011M550HV
1080 30 15.6 10.0 50 46  ILD1011M1000HV
1085 20 17.3 10.0 50 60  ILD1011M1000HVC
LDMOS, 1030 MHz, ELM mode S, 48 x (32us on, 18us off), 6,4% LTDC, 50V 20 0.8 15 10 50 43  ILD1011L20HV
200 5 17 10 50 55  ILD1011L200HV
983 28 15.5 10.0 50 52  ILD1011L950HV
 Awionika - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
900-1200 MHz, burst 444x(7usON, 6usOFF), 22.7% 500 TBD 12 TBD 50 62  IGN0912L500
Mode S-ELM Interrogator 1030 MHz
32us on / 18 us off x 48 6.4% LTDC
540 4 21 14.0 50 68  IGN1011L500





Tranzystory impulsowe na częstotliwości VHF, UHF oraz do radarów w paśmie L

Szereg oferowanych przez Integrę tranzystorów mocy na częstotliości radiowe, typu VDMOS ze wspólnym źródłem, bipolarnych ze wspólną bazą, LDMOS i GaN szczyci się wiodącą wydajnością w zakresie zastosowań przemysłowych. Zostały one zaprojektowane do aplikacji radarowych. Wewnętrzne dostrojenie impedancji tych podzespołów ułatwia pracę w szerokim zakresie częstotliwości. Całkowita złota metalizacja połączeń na płytce krzemowej i złote wyprowadzenia zapewniają najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.

W ofercie znajdują się produkty w obudowach hermetycznych oraz epoksydowych, w wersjach: dyskretnej, niedostrojonej, częściowo i/lub całkowicie dostrojonych w postaci modułów o rezystancji 50 Ohm.

 Tranzystory impulsowe VHF - VDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
125-167 MHz, 1ms, 20% 660 80.0 9.2 10 34 62  IDM165L650
190-265 MHz, 1ms, 20% 690 110 8.0 10 34 58  IDM265L650
 Tranzystory impulsowe UHF - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
450 MHz, 30us, 10% 321 25 11.1 9 40 63  IB450S300
533 60 9.5 10 40 68  IB450S500
870-990 MHz, 300us, 15% 13.7 2.4 7.6 10 36 53  IB0810M12
53 8.3 8.1 10 36 52  IB0810M50
108 10 10.3 10 36 69  IB0810M100
222 34 8.1 10 36 59  IB0810M210
 Tranzystory impulsowe UHF - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
480-610 MHz, 15us, 33% 350 11.0 15.0 7.0 45 53  ILD0506EL350
 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie L - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
1.2-1.4 GHz, 100us, 10% 6.3 0.8 9.0 10 28 47  IB1214M6
46 4 10.6 10 40 54  IB1214M32
63 8.7 8.6 10 40 47  IB1214M55
176 27.3 8.1 10 40 50  IB1214M150
333 60 7.4 10 40 54  IB1214M300
1.2-1.4 GHz, 150us, 10% 6 0.8 8.75 10 28 40  IB1214MH6
1.2-1.4 GHz, 300us, 10% 152 20 8.81 8.15 50 53.8  IB1214M130
375 49.66 8.78 8 42 59.9  IB1214M375
1.45-1.55 GHz, 32us, 1% 15 1.2 9.80 10.5 50 37.5  IB1262
110 10 9.88 20 50 53.7  IB1261
1.45-1.55 GHz, 100us burst, 1% 650 96.5 8.28 8 50 46  IB1416S650
 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie L - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
1.2-1.4 GHz, 200us, 10% 21 1 13.2 7.0 30 48.2  ILD1214M10
1.2-1.4 GHz, 300us, 10% 71 3 13.7 10.0 30 48  ILD1214M60
1.2-1.4 GHz, 1ms, 10% 250 14.2 12.5 7 30 60.3  ILD1214L250
1.2-1.4 GHz, 16ms, 50% 40 1.5 14.2 7 30 40  ILD1214EL40
200 12.4 12.1 7 30 42  ILD1214EL200
 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie L - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
1.2-1.4 GHz, 300us, 10% 290 30 17.8 12.0 50 66  IGN1214M250
1.2-1.4 GHz, 1ms, 10% 125 1.25 20 20 50 60  IGN1214M125
500 7.5 18 20 50 60  IGN1214M500
 Tranzystory CW w paśmie L - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
0.85-1.45 GHz 60 5.0 11.2 TBD 30 TBD  ILD0814CW60
1.215-1.4 GHz 30 TBD 12 TBD 30 TBD  ILD1214CW30

Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie S

Szereg krzemowych bipolarnych tranzystorów mocy, LDMOS oraz GaN oferowanych przez Integrę do zastosowań w radarach na pasmo S osiąga najwyższe parametry w swojej klasie, jakich nie uzyskują produkty innych dostawców. Tranzystory mocy o wspólnej bazie oferują najwyższą moc impulsu, największe wzmocnienie i najmniejsze wymiary.

Integra oferuje najszerszą gamę mikrofalowych tranzystorów na pasmo S, zróżnicowanych pod względem zakresów częstotliwości, poziomów mocy i formatów impulsu.

Produkty do radarów na pasmo S są zaprojektowane z myślą o wysokich wymaganiach urządzeń radarowych cywilnych i wojskowych, w tym lądowych, morskich i powietrznych, z antenami skanującymi mechanicznie i elektronicznie.

 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie S - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.2-2.6 GHz, 200us, 10% 90 13 8.4 7.0 38 48  IB2226M80
180 25.5 8.5 9.0 38 54  IB2226M160
170 24 8.5 9.0 34 43  IB2226MH160
20 2.0 10.0 9.0 36 41  IB2226MH15
120 16.0 8.7 10 36 42  IB2226MH110
2.7-2.9 GHz, 100us, 10% 6.5 1.0 8.1 7.0 32 42  IB2729M5
30 3.5 9.3 7.0 36 45  IB2729M25
100 10.5 9.8 7.0 36 51  IB2729M90
192 21.4 9.5 7.0 36 50  IB2729M170
205 30 8.3 TBD 36 41  IB2729MH200
2.7-3.1 GHz, 200us, 10% 31 3.3 9.7 8.8 36 43  IB2731MH25
125 16 9.4 7.0 36 50  IB2731M110
125 15.0 9.2 8.65 36 45  IB2731MH110
2.9-3.1 GHz, 100us, 10% 36 4 9.5 7.0 36 47  IB2931M30
170 20 9.3 7.0 36 44  IB2931M150
70 8.5 9.0 7.0 36 49  IB2931MH55
178 24.0 8.7 7.0 36 42  IB2931MH155
2.9-3.4 GHz, 100us, 10% 110 17.8 7.9 9.0 36 40  IB2934M100
3.1-3.4 GHz, 300us, 10% 17 2.5 8.3 7.0 36 45  IB3134M15
27 2.6 10.1 10 36 47  IB3134M25
80 12 8.2 7.0 36 50  IB3134M70
125 14 9.5 10.0 36 42  IB3134M100
3.1-3.5 GHz, 100us, 10% 5 0.9 7.4 6.0 36 30  IB3135MH5
25 3.5 8.5 6.0 36 35  IB3135MH20
55 6.5 9.3 8.0 36 42  IB3135MH45
92 14.0 8.2 7.0 36 49  IB3135MH65
96 13 8.7 7.0 36 49  IB3135MH75
140 16.3 9.3 8.0 36 45  IB3135MH100
 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie S - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.05-2.25 GHz, 500us, 17% 200 22 10 18 28 38  ILD2023M200
2.25-2.55 GHz, 500us, 17% 200 24 10 18 28 38  ILD2326M200
2.7-3.1 GHz, 100us, 10% 37 2.0 12.5 7.0 28 46  ILD2731M30
2.7-3.1 GHz, 300us, 20% 65 6.0 11.2 7.0 32 43  ILD2731M60
2.7-3.1 GHz, 300us, 10% 150 14.0 11.0 7.0 32 45  ILD2731M140
200 - 11.0 7.0 32 35  ILD2731M200
2.7-3.5 GHz, 300us, 10% 135 TBD 8 TBD 32 TBD  ILD2735M120
2.9-3.3 GHz, 300us, 10% 160 12.0 11.0 7.0 32 45  ILD2933M130
3.1-3.5 GHz, 100us, 10% 38 3.5 10.4 7.0 32 40  ILD3135M30
154 14.0 10.4 7.0 32 41  ILD3135M120
190 15.0 11.3 7.0 32 40  ILD3135M160
225 14.0 11.0 7.0 32 37  ILD3135M180
3.1-3.5 GHz, 16ms, 50% 28 2.75 10.0 7.0 28 35  ILD3135EL20
 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie S - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.7-2.9 GHz, 300us, 10% 250 30 9.5 10 36 59  IGN2729M250
300 25 11 10 50 59  IGN2729M250A
300 25 11 18 50 59  IGN2729M250C
400 32 11 12 50 55  IGN2729M400
500 36 12 12 50 62  IGN2729M500
500 36 12 12 50 62  IGN2729M500S
800 80 10.5 12 50 60  IGN2729M800
2.7-3.1 GHz, 100us, 10% 80 - 13.5 18.0 40 51  IGN2731M80
200 5 15.0 18.0 44 54  IGN2731M200A
2.7-3.1 GHz, 300us, 10% 35 3.5 9.25 18.0 32 50  IGN2731M25
65 7.0 8.0 18.0 32 50  IGN2731M50
200 5 15.0 18.0 44 54  IGN2731M200
2.7-3.1 GHz, 3ms, 30% 200 5 11.0 18.0 50 55  IGN2731L200
2.7-3.5 GHz, 300us, 10% 5 - 15 - 32 55  IGN2735M5
30 2.4 11 12 32 55  IGN2735M30
250 25 10 12 32 55  IGN2735M250
3.1-3.5 GHz, 300us, 20% 150 10 12 12 32 60  IGN3135M130
3.1-3.5 GHz, 300us, 10% 135 13.5 12 12 50 60  IGN3135M135
 Tranzystory CW w paśmie S - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.3-2.5 GHz, CW 110 7 12 12 28 60  IGN2325CW110
140 15 12 12 32 52  IGN2325CW140










Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie C

 Tranzystory impulsowe do radarów w paśmie C - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
4.4-5.0 GHz, 300us, 10% 60 2.5 13 12 36 55  IGN4450M50
100 5.0 13 12 36 55  IGN4450M90
5.2-5.9 GHz, 300us, 10% 10 0.5 13 12 36 55  IGN5259M10
18 0.5 15 12 36 50  IGN5259M15
20 1.0 12 18 36 50  IGN5259M20
20 1.0 12 18 36 50  IGN5259M20S
50 2.5 13 12 36 50  IGN5259M40
90 5.0 11 12 36 50  IGN5259M80
120 8.4 11 12 36 42  IGN5259M120
 Tranzystory CW w paśmie C - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
5.2-5.9 GHz, CW 50 3 12 12 24 50  IGN5259CW50


Urządzenia medyczne

Wąskopasmowe tranzystory Integry pracujące na częstotliwościach pasma S są przeznaczone do aplikacji medycznych, oferując najwyższe moce na rynku.

Wszystkie produkty firmy Integra z serii tranzystorów wysokiej mocy krzemowych bipolarnych, stosowanych przy częstotliwościach w paśmie S, posiadają złotą metalizację, co zapewnia najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.

 Urządzenia medyczne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.856 GHz, 12us, 3% 39 4.0 9.8 10.0 40 50  IB2856S30
300 27.5 10.4 10.0 40 50  IB2856S250
3.000 GHz, 12us, 1% 73 5.0 11.7 7.0 40 52  IB3000S60
250 28 9.5 10.0 40 48  IB3000S200

Szerokopasmowe VDMOS'y (CW) VHF

Integra niedawno wprowadziła na rynek serię CW VDMOS'ów, oferując większe moce i wyższą wydajność niż produkty innych firm. Poziom mocy aż do 300W CW przy 200 MHz umożliwia prostszą konstrukcję wzmacniaczy oraz jednoczesne zmniejszenie ich wymiarów.

Wszystkie produkty firmy Integra z serii tranzystorów wysokiej mocy VHF - VDMOS'ów krzemowych MOSFET'ów posiadają złotą metalizację, co zapewnia najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.

 Szerokopasmowe VDMOS'y (CW) Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
1-200 MHz, CW 320 10.0 14.5 15 50 55  IDM175CW300
1-500 MHz, CW 80+ TBD TBD 10 28 TBD  IDM500CW80
120+ TBD TBD 10 28 TBD  IDM500CW120
150+ TBD TBD 10 28 TBD  IDM500CW150
250 20 11.0 10 28 66  IDM500CW200
330 37 9.5 10 28 68  IDM500CW300
Broadband, 30-512 MHz, CW 20 - - - 28 -  IDM30512CW20
50 - - - 28 -  IDM30512CW50
100 - - - 28 -  IDM30512CW100


Szerokopasmowe GaN (CW)

Integra wprowadziła na rynek serię szerokopasmowych tranzystorów w technologii GaN na SiC, które są dedykowane do wojskowych aplikacji komunikacyjnych, w tym do produkcji urządzeń zakłócających do walki radioelektronicznej (jammer'ów). Seria ta obejmuje produkty na częstotliwości 30-512 MHz oraz 100-1000 MHz, o mocy od 12 do 200 W.

Wersje w obudowach z pojedynczymi, szerokimi wyprowadzeniami.
 Szerokopasmowe GaN (CW) Pout
(W)
Typ.
Gain
(dB)
Typ.
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
szerokie wyprowadzenia 25 15.0 24 55  IGN25UM72A1
50 15.0 24 55  IGN50UM72A1
100 15.0 24 55  IGN100UM72A1
180 15.0 24 55  IGN180UM72A1


Wersje w obudowach z podwójnymi wyprowadzeniami push-pull.
 Szerokopasmowe GaN (CW) Pout
(W)
Typ.
Gain
(dB)
Typ.
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
podwójne wyprowadzenia push-pull 24 15.0 24 55  IGN24UM22D1
50 15.0 24 55  IGN50UM22D1
100 15.0 24 55  IGN100UM22D1
180 15.0 24 55  IGN180UM22D1
100 12.0 28 55  IGN0110UM100


Wersje w obudowach z pojedynczymi wyprowadzeniami, zapewniającymi doskonałe charakterystyki termiczne.
 Szerokopasmowe GaN (CW) Pout
(W)
Typ.
Gain
(dB)
Typ.
VDD
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
pojedyncze wyprowadzenia 12 15.0 24 55  IGN12UM21A1
25 15.0 24 55  IGN25UM21A1
50 15.0 24 55  IGN50UM21A1

Moduły wzmacniające (palety)

Szereg krzemowych bipolarnych modułów wzmacniających oferowanych przez Integrę do zastosowań UHF, na pasma L i S osiąga wiodące wydajności na rynku.

Są to gotowe moduły dostrojone do 50 Ohm, które umożliwiają szybką i łatwą realizację projektów wzmacniaczy na częstotliwości radiowe i mikrofalowe bez konieczności stosowania długiego procesu dostrajania.

Integra oferuje także szeroką gamę produktów, zróżnicowanych ze względu na zakres częstotliwości, poziom mocy i format impulsu. Wszystkie moduły firmy Integra, złożone z tranzystorów krzemowych bipolarnych, stosowanych przy częstotliwościach UHF oraz w pasmach L i S, posiadają złotą metalizację, co zapewnia najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.

 Moduły wzmacniające - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
Mode S-ELM Interrogator, 1030 MHz
32us on, 18us off x 48, 6.7%
940 120 9.7 10.0 48 50.0  IBP1011L900
1.2-1.4 GHz, 200us, 10% 700 110 8.0 10.0 42 50.0  IBP1214M700
2.25-2.55 GHz, 200us, 10% 300 50 7.7 10.0 34 40.0  IBP2226M300
2.7-2.9 GHz, 100us, 10% 300 53 7.5 10.0 36 35.0  IBP2729M300
2.7-2.9 GHz, 100us, 10% 320 44 8.5 16.0 36 47.0  IBP2729MH300
2.7-3.1 GHz, 200us, 10% 200 27.0 8.7 10.0 36 38.0  IBP2731M200
3.1-3.4 GHz, 300us, 10% 25 2.6 9.8 10.0 36 48.0  IBP3134M25
2.9-3.4 GHz, 100us, 10% 215 38 7.5 9.0 36 45.0  IBP2934M190
3.1-3.4 GHz, 200us, 10% 220 28 9.0 8.0 36 40.0  IBP3134M220
3.1-3.5 GHz, 100us, 10% 150 27 7.5 8.0 36 40.0  IBP3135M150
3.1-3.5 GHz, 100us, 10% 227 32 8.5 8.0 36 38.0  IBP3135MH200
 Moduły wzmacniające - LDMOS Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
1.2-1.4 GHz, 16ms, 50% 212 1.25 22.3 16.0 30 -  ILP1214EL200
2.7-3.1 GHz, 300us, 10% 260 24.5 10.5 13 32 -  ILP2731M260
3.1-3.5 GHz, 300us, 10% 240 2.5 20.4 9 32 33  ILMP3135M240
 Moduły wzmacniające - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
0.1-1.0 GHz, CW 100 6.3 12 18 28 50  IGNP0110UM100
2.7-2.9 GHz, 300us, 10% 800 68 12.5 9 50 58  IGNP2729M800
4.4-5.0 GHz, 300us, 10% 180 10.5 12.5 13 36 55  IGNP4450M180
5.2-5.9 GHz, 300us, 10% 150 8.0 13 10 36 45  IGNP5259M150





MPA (Miniaturized Power Amplifier) - miniaturowe wzmacniacze mocy

MPA to produkty całkowicie zestrojone impedancyjnie na 50 Ohm. Dzięki temu są one bardzo łatwe w zastosowaniu.

 MPA - LDMOS'y Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VDD
(V)
OPF
(dB)
Typ.
Nazwa produktu
2.7-3.1 GHz, 300us, 10%, VDD=32V, IDQ=10mA 16 1.0 12.1 10 32 0.5  MPAL2731M15
28 2.0 11.5 10 32 0.7  MPAL2731M30
150 10 11.8 18 32 0.3  ILT2731M130
2.7-3.1 GHz, 100us, 10%, VDD=32V, IDQ=50mA 150 14.0 11.0 7 32 0.5  MPAL2731M130
3.0-3.5 GHz, 100us, 10%, VDD=32V, IDQ=10mA 15 1.0 11.8 7 32 0.6  MPAL3035M15
23 2.0 10.6 7 32 1.0  MPAL3035M30
 MPA - bipolarne Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
3.1-3.4 GHz, 100us, 10% 50 8.0 8.0 -15 36 40  MPAB3134M40
 MPA - GaN Pout
(W)
Typ.
Pin
(W)
Gain
(dB)
Typ.
Min
IRL
(dB)
VCC
(V)
Eff
(%)
Typ.
Nazwa produktu
2.7-3.5 GHz, 300us, 10% 30 1.9 12 12 32 52  MPAG2735M30
2.7-3.5 GHz, 300us, 10% 30 1.9 12 12 32 52  IGT2735M30
5.2-5.9 GHz, 300us, 10% 25 TBD 12 TBD 36 55  MPAG5259M25








Wzmacniacze

Integra oferuje także możliwości realizacji gotowych wzmacniaczy na częstotliwości radiowe i mikrofalowe na zamówienia klientów.

Oferta obejmuje kompletne projektowanie i wyrób zgodnie ze specyficznymi założeniami odbiorców, gruntowny przegląd projektu aż po końcową akceptację zamawiającego.

Wszystkie wzmacniacze firmy Integra na częstotliwości radiowe i mikrofalowe posiadają złotą metalizację, co zapewnia najwyższą niezawodność i doskonałe parametry.



Abditus

Abditus Sp. z o.o. jest dystrybutorem produktów firmy Integra w Polsce, Czechach, na Słowacji i Węgrzech. Firma ma swoją siedzibę we Wrocławiu i prowadzi działalność w wielu krajach. W ofercie firmy Abditus znajdują się także inne elementy elektroniczne. Zapraszamy do korzystania z naszych usług! Więcej informacji na stronie internetowej: www.abditus.pl